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MGV12051R8M-10

MGV12051R8M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.8UH 19A 4.9 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1.8 µH
Nennstrom
19 A
DC-Widerstand (DCR)
4.9mOhm Max
Abmessungen
0.531 L x 0.496 W (13.50mm x 12.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV12051R8M-10.

Induktivität
1.8 µH

MGV12051R8M-10 hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
19 A

MGV12051R8M-10 ist für 19 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.9mOhm Max

MGV12051R8M-10 hat einen DC-Widerstand von 4.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGV12051R8M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität1.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom19 A
DC-Widerstand (DCR)4.9mOhm Max
Sättigungsstrom40A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.531 L x 0.496 W (13.50mm x 12.60mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 1.8UH 19A 4.9 MOHM SMD
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.209 (5.30mm)
Merkmale-

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