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MGV17074R7M-10

MGV17074R7M-10

Laird

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 25A 5.5 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
25 A
DC-Widerstand (DCR)
5.5mOhm Max
Abmessungen
0.693 L x 0.665 W (17.60mm x 16.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV17074R7M-10.

Induktivität
4.7 µH

MGV17074R7M-10 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
25 A

MGV17074R7M-10 ist für 25 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
5.5mOhm Max

MGV17074R7M-10 hat einen DC-Widerstand von 5.5mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MGV17074R7M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom25 A
DC-Widerstand (DCR)5.5mOhm Max
Sättigungsstrom50A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.693 L x 0.665 W (17.60mm x 16.90mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 25A 5.5 MOHM SMD
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.276 (7.00mm)
Merkmale-

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