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MGV2520104R7M-10

MGV2520104R7M-10

Laird

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 1.36A 262 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
1.36 A
DC-Widerstand (DCR)
262mOhm Max
Abmessungen
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MGV2520104R7M-10.

Induktivität
4.7 µH

MGV2520104R7M-10 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.36 A

MGV2520104R7M-10 ist für 1.36 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
262mOhm Max

MGV2520104R7M-10 hat einen DC-Widerstand von 262mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

MGV2520104R7M-10 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.7.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.36 A
DC-Widerstand (DCR)262mOhm Max
Sättigungsstrom1.8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantLaird
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 1.36A 262 MOHM
SerieMGV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039 (1.00mm)
Merkmale-

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