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MLP1812-822K

Gowanda

1812 (4532 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 82UH 200MA 3.648 OHM

Technische Daten

Induktivität
82 µH
Nennstrom
200 mA
DC-Widerstand (DCR)
3.648Ohm Max
Abmessungen
0.178" L x 0.126" W (4.53mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLP1812-822K.

Induktivität
82 µH

MLP1812-822K hat eine Induktivität von 82 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
200 mA

MLP1812-822K ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.648Ohm Max

MLP1812-822K hat einen DC-Widerstand von 3.648Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1812 (4532 Metric)

MLP1812-822K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1812 (4532 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität82 µH
Toleranz±10%
Nennstrom200 mA
DC-Widerstand (DCR)3.648Ohm Max
Sättigungsstrom267mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 130°C
Abmessungen0.178" L x 0.126" W (4.53mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe1812 (4532 Metric)
Gehäuse / Ausführung1812 (4532 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 82UH 200MA 3.648 OHM
SerieMLP1812
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812
Höhe - sitzend (max.)0.138" (3.51mm)
Merkmale-

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