Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF0603-100J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 305 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 750mOhm Max, Gehäusegröße 0603 (1608 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0603-100J.
MLRF0603-100J hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF0603-100J ist für 305 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF0603-100J hat einen DC-Widerstand von 750mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF0603-100J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 305 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 750mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.071" L x 0.047" W (1.80mm x 1.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 0603 (1608 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0603 (1608 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 100NH 305MA 750 MOHM |
| Serie | MLRF0603 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 34 @ 150MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 1.4GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 150 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 603 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.040" (1.02mm) |
