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MLRF0805-012G

Gowanda

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 12NH 870MA 150 MOHM

Technische Daten

Induktivität
12 nH
Nennstrom
870 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max
Abmessungen
0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-012G.

Induktivität
12 nH

MLRF0805-012G hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
870 mA

MLRF0805-012G ist für 870 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max

MLRF0805-012G hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLRF0805-012G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität12 nH
Toleranz±2%
Nennstrom870 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 12NH 870MA 150 MOHM
SerieMLRF0805
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz65 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz4GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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