Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF0805-012J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 nH, Nennstrom 870 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-012J.
MLRF0805-012J hat eine Induktivität von 12 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF0805-012J ist für 870 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF0805-012J hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF0805-012J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 nH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 870 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 150mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 12NH 870MA 150 MOHM |
| Serie | MLRF0805 |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ceramic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 65 @ 500MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.060" (1.52mm) |
