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MLRF0805-018G

Gowanda

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 18NH 750MA 200 MOHM

Technische Daten

Induktivität
18 nH
Nennstrom
750 mA
DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max
Abmessungen
0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-018G.

Induktivität
18 nH

MLRF0805-018G hat eine Induktivität von 18 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
750 mA

MLRF0805-018G ist für 750 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
200mOhm Max

MLRF0805-018G hat einen DC-Widerstand von 200mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLRF0805-018G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität18 nH
Toleranz±2%
Nennstrom750 mA
DC-Widerstand (DCR)200mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 18NH 750MA 200 MOHM
SerieMLRF0805
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz50 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz2.6GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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