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MLRF0805-033G

Gowanda

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 33NH 650MA 270 MOHM

Technische Daten

Induktivität
33 nH
Nennstrom
650 mA
DC-Widerstand (DCR)
270mOhm Max
Abmessungen
0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-033G.

Induktivität
33 nH

MLRF0805-033G hat eine Induktivität von 33 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
650 mA

MLRF0805-033G ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
270mOhm Max

MLRF0805-033G hat einen DC-Widerstand von 270mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLRF0805-033G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität33 nH
Toleranz±2%
Nennstrom650 mA
DC-Widerstand (DCR)270mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 33NH 650MA 270 MOHM
SerieMLRF0805
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz60 @ 500MHz
Eigenresonanzfrequenz2GHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz250 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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