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MLRF0805-180G

Gowanda

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 180NH 370MA 800 MOHM

Technische Daten

Induktivität
180 nH
Nennstrom
370 mA
DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max
Abmessungen
0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF0805-180G.

Induktivität
180 nH

MLRF0805-180G hat eine Induktivität von 180 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
370 mA

MLRF0805-180G ist für 370 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
800mOhm Max

MLRF0805-180G hat einen DC-Widerstand von 800mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

MLRF0805-180G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität180 nH
Toleranz±2%
Nennstrom370 mA
DC-Widerstand (DCR)800mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" L x 0.070" W (2.41mm x 1.78mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 180NH 370MA 800 MOHM
SerieMLRF0805
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz45 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz920MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse805
Höhe - sitzend (max.)0.060" (1.52mm)
Merkmale-

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