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MLRF10M100K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 100NH 1.35A 80 MOHM TH

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
1.35 A
DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max
Abmessungen
0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M100K.

Induktivität
100 nH

MLRF10M100K hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.35 A

MLRF10M100K ist für 1.35 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
80mOhm Max

MLRF10M100K hat einen DC-Widerstand von 80mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

MLRF10M100K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±10%
Nennstrom1.35 A
DC-Widerstand (DCR)80mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 100NH 1.35A 80 MOHM TH
SerieMLRF10M
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialPhenolic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 25MHz
Eigenresonanzfrequenz680MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz25 MHz
MontageartThrough Hole
Hersteller-GehäuseAxial
Höhe - sitzend (max.)-
Merkmale-

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