Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF10M271K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 355 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 550mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M271K.
MLRF10M271K hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF10M271K ist für 355 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF10M271K hat einen DC-Widerstand von 550mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF10M271K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.7 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 355 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 550mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.7UH 355MA 550 MOHM |
| Serie | MLRF10M |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 37 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Montageart | Axial |
| Hersteller-Gehäuse | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Höhe - sitzend (max.) | 7.9 MHz |
| Merkmale | Through Hole |
