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MLRF10M271K

Gowanda

Axial
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Beschreibung

FIXED IND 2.7UH 355MA 550 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
355 mA
DC-Widerstand (DCR)
550mOhm Max
Abmessungen
-

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M271K.

Induktivität
2.7 µH

MLRF10M271K hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
355 mA

MLRF10M271K ist für 355 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
550mOhm Max

MLRF10M271K hat einen DC-Widerstand von 550mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

MLRF10M271K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 26.6.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom355 mA
DC-Widerstand (DCR)550mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 105°C
Abmessungen-
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantGowanda
BeschreibungFIXED IND 2.7UH 355MA 550 MOHM
SerieMLRF10M
ProduktstatusActive
Typ / Aufbau-
KernmaterialIron Powder
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz37 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz100MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz-
MontageartAxial
Hersteller-Gehäuse0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm)
Höhe - sitzend (max.)7.9 MHz
MerkmaleThrough Hole

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