Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF10M470K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 470 nH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 350mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF10M470K.
MLRF10M470K hat eine Induktivität von 470 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF10M470K ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF10M470K hat einen DC-Widerstand von 350mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF10M470K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 470 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 350mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 470NH 650MA 350 MOHM |
| Serie | MLRF10M |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Phenolic |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 25MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 330MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 25 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
