Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF17S271K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 535 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF17S271K.
MLRF17S271K hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF17S271K ist für 535 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF17S271K hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF17S271K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.7 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 535 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 280mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 2.7UH 535MA 280 MOHM |
| Serie | MLRF17S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 44 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 92MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
