Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF17S563K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 µH, Nennstrom 90 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 10.5Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF17S563K.
MLRF17S563K hat eine Induktivität von 560 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF17S563K ist für 90 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF17S563K hat einen DC-Widerstand von 10.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF17S563K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 90 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 10.5Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 55mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 560UH 90MA 10.5 OHM TH |
| Serie | MLRF17S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.7MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
