Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF17S683K von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 680 µH, Nennstrom 80 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 11.8Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF17S683K.
MLRF17S683K hat eine Induktivität von 680 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF17S683K ist für 80 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF17S683K hat einen DC-Widerstand von 11.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF17S683K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 680 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 80 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 11.8Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.162" Dia x 0.410" L (4.11mm x 10.41mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 680UH 80MA 11.8 OHM TH |
| Serie | MLRF17S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 4.5MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
