Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MLRF22M114J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.1 mH, Nennstrom 78 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 21Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MLRF22M114J.
MLRF22M114J hat eine Induktivität von 1.1 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MLRF22M114J ist für 78 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MLRF22M114J hat einen DC-Widerstand von 21Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MLRF22M114J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.1 mH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 78 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 21Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.215" Dia x 0.561" L (5.47mm x 14.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 1.1MH 78MA 21 OHM TH |
| Serie | MLRF22M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Iron Powder |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 250kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 2.8MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 250 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
