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MPH252010C2R2MT

MPH252010C2R2MT

Sunlord

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 1.2A 250 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
1.2 A
DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPH252010C2R2MT.

Induktivität
2.2 µH

MPH252010C2R2MT hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.2 A

MPH252010C2R2MT ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
250mOhm Max

MPH252010C2R2MT hat einen DC-Widerstand von 250mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

MPH252010C2R2MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.2 A
DC-Widerstand (DCR)250mOhm Max
Sättigungsstrom1.25A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 1.2A 250 MOHM
SerieMPH
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMultilayer
Kernmaterial-
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz60MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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