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MPI4015V2-3R3-R

MPI4015V2-3R3-R

Eaton - Electronics Division

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 3A 92 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
3 A
DC-Widerstand (DCR)
92mOhm Max
Abmessungen
0.160" L x 0.171" W (4.06mm x 4.35mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPI4015V2-3R3-R.

Induktivität
3.3 µH

MPI4015V2-3R3-R hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3 A

MPI4015V2-3R3-R ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
92mOhm Max

MPI4015V2-3R3-R hat einen DC-Widerstand von 92mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MPI4015V2-3R3-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 14.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3 A
DC-Widerstand (DCR)92mOhm Max
Sättigungsstrom3.2A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.160" L x 0.171" W (4.06mm x 4.35mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 3A 92 MOHM SMD
SerieMPI40-V2
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal Composite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz31MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.059" (1.50mm)
Merkmale-

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