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MPL-AL5030-2R2

MPL-AL5030-2R2

Monolithic Power Systems Inc.

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 8.2A 12.3 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
8.2 A
DC-Widerstand (DCR)
12.3mOhm
Abmessungen
0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPL-AL5030-2R2.

Induktivität
2.2 µH

MPL-AL5030-2R2 hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8.2 A

MPL-AL5030-2R2 ist für 8.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
12.3mOhm

MPL-AL5030-2R2 hat einen DC-Widerstand von 12.3mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MPL-AL5030-2R2 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz-
Nennstrom8.2 A
DC-Widerstand (DCR)12.3mOhm
Sättigungsstrom11A
Betriebstemperatur-40°C ~ 155°C
Abmessungen0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantMonolithic Power Systems Inc.
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 8.2A 12.3 MOHM
SerieMPL-AL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.122" (3.10mm)
Merkmale-

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