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MPL-AL5030-4R7

MPL-AL5030-4R7

Monolithic Power Systems Inc.

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 5.3A 33 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
5.3 A
DC-Widerstand (DCR)
33mOhm
Abmessungen
0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPL-AL5030-4R7.

Induktivität
4.7 µH

MPL-AL5030-4R7 hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5.3 A

MPL-AL5030-4R7 ist für 5.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
33mOhm

MPL-AL5030-4R7 hat einen DC-Widerstand von 33mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MPL-AL5030-4R7 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz-
Nennstrom5.3 A
DC-Widerstand (DCR)33mOhm
Sättigungsstrom8A
Betriebstemperatur-40°C ~ 155°C
Abmessungen0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantMonolithic Power Systems Inc.
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 5.3A 33 MOHM SMD
SerieMPL-AL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.122" (3.10mm)
Merkmale-

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