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MPL-AL5030-R56

MPL-AL5030-R56

Monolithic Power Systems Inc.

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 560NH 13.2A 3.92 MOHM

Technische Daten

Induktivität
560 nH
Nennstrom
13.2 A
DC-Widerstand (DCR)
3.92mOhm
Abmessungen
0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPL-AL5030-R56.

Induktivität
560 nH

MPL-AL5030-R56 hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
13.2 A

MPL-AL5030-R56 ist für 13.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
3.92mOhm

MPL-AL5030-R56 hat einen DC-Widerstand von 3.92mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MPL-AL5030-R56 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität560 nH
Toleranz-
Nennstrom13.2 A
DC-Widerstand (DCR)3.92mOhm
Sättigungsstrom22A
Betriebstemperatur-40°C ~ 155°C
Abmessungen0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantMonolithic Power Systems Inc.
BeschreibungFIXED IND 560NH 13.2A 3.92 MOHM
SerieMPL-AL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.122" (3.10mm)
Merkmale-

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