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MPL-AL6050-1R0

MPL-AL6050-1R0

Monolithic Power Systems Inc.

2-SMD
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 16.2A 4.3 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
16.2 A
DC-Widerstand (DCR)
4.3mOhm
Abmessungen
0.260" L x 0.252" W (6.60mm x 6.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MPL-AL6050-1R0.

Induktivität
1 µH

MPL-AL6050-1R0 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
16.2 A

MPL-AL6050-1R0 ist für 16.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
4.3mOhm

MPL-AL6050-1R0 hat einen DC-Widerstand von 4.3mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MPL-AL6050-1R0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz-
Nennstrom16.2 A
DC-Widerstand (DCR)4.3mOhm
Sättigungsstrom21A
Betriebstemperatur-40°C ~ 155°C
Abmessungen0.260" L x 0.252" W (6.60mm x 6.40mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantMonolithic Power Systems Inc.
BeschreibungFIXED IND 1UH 16.2A 4.3 MOHM SMD
SerieMPL-AL
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.197" (5.00mm)
Merkmale-

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