Beschreibung
Dies ist die Datenblatt- (Datasheet) und Vergleichsseite für das elektronische Bauteil MSY5020-1R2M von COILMX. Dieses Bauteil bietet Spezifikationen wie Induktivität 1.2 µH, Nennstrom 9.4 A, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MSY5020-1R2M.
MSY5020-1R2M hat eine Induktivität von 1.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MSY5020-1R2M ist für 9.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MSY5020-1R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 9.4 A |
| Sättigungsstrom | 10 A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | COILMX |
| Serie | MSY |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.083" (2.10mm) |
