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MSY5030-1R0M

MSY5030-1R0M

COILMX

2-SMD
PDF

Beschreibung

Dies ist die Datenblatt- (Datasheet) und Vergleichsseite für das elektronische Bauteil MSY5030-1R0M von COILMX. Dieses Bauteil bietet Spezifikationen wie Induktivität 1.0 µH, Nennstrom 11.1 A, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1.0 µH
Nennstrom
11.1 A
Abmessungen
0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MSY5030-1R0M.

Induktivität
1.0 µH

MSY5030-1R0M hat eine Induktivität von 1.0 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
11.1 A

MSY5030-1R0M ist für 11.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD

MSY5030-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 12.6.2026
Induktivität1.0 µH
Toleranz±20%
Nennstrom11.1 A
Sättigungsstrom14 A
Betriebstemperatur-55°C ~ 155°C
Abmessungen0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm)
Gehäuse / Größe2-SMD
Gehäuse / Ausführung2-SMD
LieferantCOILMX
SerieMSY
Typ / AufbauMolded
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Höhe - sitzend (max.)0.122" (3.10mm)

Vorschau