Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MSY8080-120M von COILMX. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Gehäusegröße 2-SMD. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MSY8080-120M.
MSY8080-120M hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MSY8080-120M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 155°C |
| Abmessungen | 0.346" L x 0.327” W (8.80mm x 8.30mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD |
| Lieferant | COILMX |
| Serie | MSY |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.315” (8.00mm) |