Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF0805L1R0MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 950 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 130mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF0805L1R0MST.
MTF0805L1R0MST hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF0805L1R0MST ist für 950 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF0805L1R0MST hat einen DC-Widerstand von 130mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF0805L1R0MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 950 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 130mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 950mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079 L x 0.047 W (2.00mm x 1.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 1000 NH 700 MA 0.13 OH |
| Serie | MTF0805L |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 320MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.063 (1.60mm) |
