Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MTF1210L4R7MST von Microgate Technology. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 4.7 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 280mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MTF1210L4R7MST.
MTF1210L4R7MST hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
MTF1210L4R7MST ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
MTF1210L4R7MST hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
MTF1210L4R7MST verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 4.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 280mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 850mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | Microgate Technology |
| Beschreibung | FIXED IND 4700 NH 850 MA 0.28 OH |
| Serie | MTF1210L |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 100MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.091 (2.30mm) |
