MWSD1005C30NJTM81

MWSD1005C30NJTM81

Sunlord

0402 (1005 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil MWSD1005C30NJTM81 von Sunlord. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 30 nH, Nennstrom 660 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 309mOhm Max, Gehäusegröße 0402 (1005 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
30 nH
Nennstrom
660 mA
DC-Widerstand (DCR)
309mOhm Max
Abmessungen
0.043" L x 0.021" W (1.10mm x 0.53mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für MWSD1005C30NJTM81.

Induktivität
30 nH

MWSD1005C30NJTM81 hat eine Induktivität von 30 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
660 mA

MWSD1005C30NJTM81 ist für 660 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
309mOhm Max

MWSD1005C30NJTM81 hat einen DC-Widerstand von 309mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0402 (1005 Metric)

MWSD1005C30NJTM81 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0402 (1005 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität30 nH
Toleranz±5%
Nennstrom660 mA
DC-Widerstand (DCR)309mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.043" L x 0.021" W (1.10mm x 0.53mm)
Gehäuse / Größe0402 (1005 Metric)
Gehäuse / Ausführung0402 (1005 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 30NH 660MA 309 MOHM
SerieMWSD-C-M8X
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz30 @ 250MHz
Eigenresonanzfrequenz3.8GHz
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0402
Höhe - sitzend (max.)0.028" (0.70mm)

Vorschau

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