NM2012NR82M-T
Taiyo Yuden
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil NM2012NR82M-T von Taiyo Yuden. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 nH, Nennstrom 1.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 100mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NM2012NR82M-T.
NM2012NR82M-T hat eine Induktivität von 820 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
NM2012NR82M-T ist für 1.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
NM2012NR82M-T hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
NM2012NR82M-T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 100mOhm Max |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | Taiyo Yuden |
| Beschreibung | FIXED IND 820NH 1.2A 100 MOHM |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Multilayer |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
