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NRS2012T1R0NGJV

NRS2012T1R0NGJV

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 1.7A 70 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.7 A
DC-Widerstand (DCR)
70mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS2012T1R0NGJV.

Induktivität
1 µH

NRS2012T1R0NGJV hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.7 A

NRS2012T1R0NGJV ist für 1.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
70mOhm

NRS2012T1R0NGJV hat einen DC-Widerstand von 70mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

NRS2012T1R0NGJV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.7 A
DC-Widerstand (DCR)70mOhm
Sättigungsstrom1.9A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.7A 70 MOHM SMD
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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