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NRS5012T2R2MMGF

NRS5012T2R2MMGF

Taiyo Yuden

2005 (5012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 2A 102 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
2 A
DC-Widerstand (DCR)
102mOhm Max
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS5012T2R2MMGF.

Induktivität
2.2 µH

NRS5012T2R2MMGF hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2 A

NRS5012T2R2MMGF ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
102mOhm Max

NRS5012T2R2MMGF hat einen DC-Widerstand von 102mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2005 (5012 Metric)

NRS5012T2R2MMGF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2005 (5012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2 A
DC-Widerstand (DCR)102mOhm Max
Sättigungsstrom3.1A
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / Größe2005 (5012 Metric)
Gehäuse / Ausführung2005 (5012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 2A 102 MOHM SMD
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz70MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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