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NRS5012T6R8MMGF

NRS5012T6R8MMGF

Taiyo Yuden

2005 (5012 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 6.8UH 1.1A 312 MOHM

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
312mOhm Max
Abmessungen
0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS5012T6R8MMGF.

Induktivität
6.8 µH

NRS5012T6R8MMGF hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

NRS5012T6R8MMGF ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
312mOhm Max

NRS5012T6R8MMGF hat einen DC-Widerstand von 312mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2005 (5012 Metric)

NRS5012T6R8MMGF verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2005 (5012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)312mOhm Max
Sättigungsstrom1.7A
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C
Abmessungen0.193" L x 0.193" W (4.90mm x 4.90mm)
Gehäuse / Größe2005 (5012 Metric)
Gehäuse / Ausführung2005 (5012 Metric)
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 1.1A 312 MOHM
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz36MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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