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NRS6012T150MMGJ

NRS6012T150MMGJ

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 15UH 800MA 354 MOHM

Technische Daten

Induktivität
15 µH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
354mOhm Max
Abmessungen
0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS6012T150MMGJ.

Induktivität
15 µH

NRS6012T150MMGJ hat eine Induktivität von 15 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

NRS6012T150MMGJ ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
354mOhm Max

NRS6012T150MMGJ hat einen DC-Widerstand von 354mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

NRS6012T150MMGJ verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität15 µH
Toleranz±20%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)354mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-25°C ~ 125°C
Abmessungen0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 15UH 800MA 354 MOHM
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz18MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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