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NRS6028T1R5NMGJV

NRS6028T1R5NMGJV

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1.5UH 4.2A 20.8 MOHM

Technische Daten

Induktivität
1.5 µH
Nennstrom
4.2 A
DC-Widerstand (DCR)
20.8mOhm Max
Abmessungen
0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRS6028T1R5NMGJV.

Induktivität
1.5 µH

NRS6028T1R5NMGJV hat eine Induktivität von 1.5 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.2 A

NRS6028T1R5NMGJV ist für 4.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
20.8mOhm Max

NRS6028T1R5NMGJV hat einen DC-Widerstand von 20.8mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

NRS6028T1R5NMGJV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1.5 µH
Toleranz±30%
Nennstrom4.2 A
DC-Widerstand (DCR)20.8mOhm Max
Sättigungsstrom5.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.236" L x 0.236" W (6.00mm x 6.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 1.5UH 4.2A 20.8 MOHM
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz78MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.110" (2.80mm)
Merkmale-

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