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NRV2010T1R0NGFV

NRV2010T1R0NGFV

Taiyo Yuden

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 1.6A 96 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.6 A
DC-Widerstand (DCR)
96mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für NRV2010T1R0NGFV.

Induktivität
1 µH

NRV2010T1R0NGFV hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.6 A

NRV2010T1R0NGFV ist für 1.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
96mOhm Max

NRV2010T1R0NGFV hat einen DC-Widerstand von 96mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

NRV2010T1R0NGFV verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 17.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±30%
Nennstrom1.6 A
DC-Widerstand (DCR)96mOhm Max
Sättigungsstrom1.55A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTaiyo Yuden
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.6A 96 MOHM SMD
SerieNR
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungSemi-Shielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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