Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1166.124NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 µH, Nennstrom 530 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 645mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1166.124NLT.
P1166.124NLT hat eine Induktivität von 120 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1166.124NLT ist für 530 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1166.124NLT hat einen DC-Widerstand von 645mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1166.124NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 530 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 645mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 550mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.297" L x 0.297" W (7.54mm x 7.54mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 120UH 530MA 645 MOHM |
| Serie | P1166NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 7MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138" (3.51mm) |
