Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1166.473NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 47 µH, Nennstrom 830 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 260mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1166.473NLT.
P1166.473NLT hat eine Induktivität von 47 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1166.473NLT ist für 830 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1166.473NLT hat einen DC-Widerstand von 260mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1166.473NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 47 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 830 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 260mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 830mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.297" L x 0.297" W (7.54mm x 7.54mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 47UH 830MA 260 MOHM |
| Serie | P1166NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 12MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.138" (3.51mm) |
