Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1167.334NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 µH, Nennstrom 350 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.47Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1167.334NLT.
P1167.334NLT hat eine Induktivität von 330 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1167.334NLT ist für 350 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1167.334NLT hat einen DC-Widerstand von 1.47Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1167.334NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 350 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.47Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 350mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.297" L x 0.297" W (7.54mm x 7.54mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 330UH 350MA 1.47 OHM |
| Serie | P1167NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 3MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |
