Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1167.824NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom 210 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 3.5Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1167.824NLT.
P1167.824NLT hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1167.824NLT ist für 210 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1167.824NLT hat einen DC-Widerstand von 3.5Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1167.824NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 210 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 3.5Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 210mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.297" L x 0.297" W (7.54mm x 7.54mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 820UH 210MA 3.5 OHM |
| Serie | P1167NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 2MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |
