Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1169.333NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 33 µH, Nennstrom 2.2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 94mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1169.333NLT.
P1169.333NLT hat eine Induktivität von 33 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1169.333NLT ist für 2.2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1169.333NLT hat einen DC-Widerstand von 94mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1169.333NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 33 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 94mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 33UH 2.2A 94 MOHM SMD |
| Serie | P1169NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 11MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |
