Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1169.564NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 µH, Nennstrom 530 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.623Ohm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1169.564NLT.
P1169.564NLT hat eine Induktivität von 560 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1169.564NLT ist für 530 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1169.564NLT hat einen DC-Widerstand von 1.623Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1169.564NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 530 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.623Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 530mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 560UH 530MA 1.623 OHM |
| Serie | P1169NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 2.2MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.177" (4.50mm) |
