Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1170.104NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 µH, Nennstrom 1.4 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 230mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1170.104NLT.
P1170.104NLT hat eine Induktivität von 100 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1170.104NLT ist für 1.4 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1170.104NLT hat einen DC-Widerstand von 230mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1170.104NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 100 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.4 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 230mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.4A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 100UH 1.4A 230 MOHM |
| Serie | P1170NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 5.5MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236" (6.00mm) |
