Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1170.302NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 µH, Nennstrom 8.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7.7mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1170.302NLT.
P1170.302NLT hat eine Induktivität von 3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1170.302NLT ist für 8.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1170.302NLT hat einen DC-Widerstand von 7.7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1170.302NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 µH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 8.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 7.7mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 8.3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 3UH 8.3A 7.7 MOHM SMD |
| Serie | P1170NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 38MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236" (6.00mm) |
