Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1171.901NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 900 nH, Nennstrom 13 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 2.9mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1171.901NLT.
P1171.901NLT hat eine Induktivität von 900 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1171.901NLT ist für 13 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1171.901NLT hat einen DC-Widerstand von 2.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1171.901NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 900 nH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 13 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 2.9mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 14A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.482" L x 0.482" W (12.24mm x 12.24mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 900NH 13A 2.9 MOHM SMD |
| Serie | P1171NL |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 40MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.236" (6.00mm) |
