Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1252.782T von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 7.8 µH, Nennstrom 7.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 18mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1252.782T.
P1252.782T hat eine Induktivität von 7.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1252.782T ist für 7.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1252.782T hat einen DC-Widerstand von 18mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1252.782T verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 7.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 7.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 18mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 11A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.879" L x 0.596" W (22.33mm x 15.14mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 7.8UH 7.5A 18 MOHM SMD |
| Serie | P1252NL |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.295" (7.49mm) |
