
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P1812R-222G von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.2 µH, Nennstrom 850 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 268mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P1812R-222G.
P1812R-222G hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P1812R-222G ist für 850 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P1812R-222G hat einen DC-Widerstand von 268mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P1812R-222G verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.2 µH |
| Toleranz | ±2% |
| Nennstrom | 850 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 268mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.697A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.189" L x 0.134" W (4.80mm x 3.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 2.2UH 850MA 268 MOHM |
| Serie | P1812R |
| Produktstatus | Active |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
| Merkmale | https://www.digikey.com/en/products/detail/delevan/P1812R-222G/4198699 |






