Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil P3519R-102J von Delevan. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 33mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für P3519R-102J.
P3519R-102J hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
P3519R-102J ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
P3519R-102J hat einen DC-Widerstand von 33mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
P3519R-102J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 33mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4.32A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.358" L x 0.190" W (9.09mm x 4.83mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Delevan |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 3A 33 MOHM SMD |
| Serie | P3519R |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 10 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.185" (4.70mm) |
