Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PA0511.850NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 85 nH, Nennstrom 31 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.39mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PA0511.850NLT.
PA0511.850NLT hat eine Induktivität von 85 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PA0511.850NLT ist für 31 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PA0511.850NLT hat einen DC-Widerstand von 0.39mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PA0511.850NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 85 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 31 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.39mOhm |
| Sättigungsstrom | 70A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C |
| Abmessungen | 0.402" L x 0.276" W (10.20mm x 7.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics |
| Beschreibung | FIXED IND 85NH 31A 0.39 MOHM SMD |
| Serie | PA0511NL |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Shielded |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.195" (4.96mm) |
