Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil PA4331.102NLT von Pulse Electronics. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.7 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 54mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für PA4331.102NLT.
PA4331.102NLT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
PA4331.102NLT ist für 2.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
PA4331.102NLT hat einen DC-Widerstand von 54mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
PA4331.102NLT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.7 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 54mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4.2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | Pulse Electronics,WEC |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 2.7A 54 MOHM SMD |
| Serie | PA4331.XXXNLT |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 51MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
